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高飛捷50WLED集成光源供電壓應(yīng)用

來源:  發(fā)布時(shí)間:2021-01-09   點(diǎn)擊量:326

COB封裝就是將芯片直接貼裝到光源的基板上,使用時(shí)COB光源與熱沉直接相連,無需進(jìn)行SMT表面組裝。SMD封裝則先將芯片貼裝在支架上成為一個(gè)器件,使用時(shí)需將器件貼裝到基板上再與熱沉連接。兩者的熱阻結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,相對于SMD器件,COB熱阻比SMD在使用時(shí)少了支架層熱阻與焊料層熱阻,芯片的熱量更容易傳遞到熱沉。50WLED集成光源供電壓2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片,所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會遇到相鄰芯片而不斷形成全反射,最后被封裝材料吸收,不能發(fā)射出去50WLED集成光源供電壓

對于COB光源接下來的發(fā)展,首先是在確保產(chǎn)品性能的前提下,將規(guī)模提上去、價(jià)格降下來;其次是從小功率向中、大功率發(fā)展;最后是結(jié)合COB光源的特性,配套研發(fā)更多的燈具,讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。多方熱議。而對于SMD,只要間距合理,就不存在這個(gè)問題(見圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí),封裝材料吸收水平方向光線所帶來的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加,導(dǎo)致COB工作溫度偏高,再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片,COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。50WLED集成光源供電壓在當(dāng)時(shí)的環(huán)境下,研發(fā)COB有其合理性,這和后來COB的再開發(fā)有本質(zhì)區(qū)別。COB在2012年,是作為一種全新的光源被再次“發(fā)明”了出來的50WLED集成光源供電壓

COB光源是一種新技術(shù)封裝的LED發(fā)光器件,相對于傳統(tǒng)LED它有多種優(yōu)勢。COB光源是生產(chǎn)商將多個(gè)LED晶片直接固到基板上組合而成的單個(gè)發(fā)光模塊。因?yàn)?a href="http://www.1r98698.cn/product8.html" target="_blank">COB光源使用的是多個(gè)LED晶片直接固在散熱基板上,它與傳統(tǒng)的LED封裝方式不同,因此這些LED晶片貼片封裝后占用的空間極小,且緊密組合的LED晶片能最大化的高效發(fā)光,所以當(dāng)COB光源通電后看不出獨(dú)立的單個(gè)發(fā)光點(diǎn)而更像是一整塊發(fā)光板。。其動因是市場對LED產(chǎn)品長期停滯不前的失望。然而,COB的技術(shù)問題并沒有隨著時(shí)間而改善,依舊被封裝和大功率的質(zhì)量穩(wěn)定性阻礙其發(fā)展。

50WLED集成光源供電壓MCOB小功率的封裝和大功率的封裝:無論如何,小功率的封裝效率一定要大于高功率封裝的15%以上,大功率的芯片很大,出光面積只有4個(gè)裸芯片技術(shù)主要有兩種形式:一種COB技術(shù),另一種是倒裝片技術(shù)(FlipChip)。板上芯片封裝(COB),半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn),并用樹脂覆蓋以確??煽啃浴?,可是小芯片分成16個(gè)50WLED集成光源供電壓,那出光面積就是4乘16個(gè),所以出光面積比它大,所以無論如何我們提高15%的出光效率,更是基于這個(gè)理由,MCOB不是一個(gè)杯,MCOB找多個(gè)杯也是目的讓它出光效率更高,正是因?yàn)槎啾璏COB的技術(shù),它的出光效率比現(xiàn)在普通的cob多的體現(xiàn)在出光效率上。

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