其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測(cè)溫的精確與待測(cè)材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準(zhǔn)測(cè)溫，可將光源放置在恒溫加熱臺(tái)上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測(cè)量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。

30W集成光源大功率LEDCOB即Chip-On-Board，原指把多顆半導(dǎo)體芯片集成到一塊線路板上的封裝技術(shù)。在LED行業(yè)特指把多顆LED芯片封裝在一片基板上，從而形成一種發(fā)光光源的形式30W集成光源大功率LED

。正是這種產(chǎn)品形態(tài)決定了COB的技術(shù)特性。所謂材料學(xué)里的“結(jié)構(gòu)決定特性”也同樣適用于產(chǎn)品。知道了這一點(diǎn)，我們繼續(xù)進(jìn)行下面的分析。30W集成光源大功率LEDMCOB技術(shù)將LED芯片封裝進(jìn)光學(xué)的杯子里，學(xué)習(xí)了LEDSMD器件點(diǎn)膠精粹，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序，使用此種方法熒光粉的使用量將極大地減少30W集成光源大功率LED

現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國(guó)產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過(guò)120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場(chǎng)需求。。同時(shí)LED芯片發(fā)光是集中在芯片內(nèi)部，MCOB平面光源是多杯集成芯片，提供更多的出光口，讓光充分多角度發(fā)出來(lái)，光效率明顯提升。

30W集成光源大功率LED3、同樣基于COB的小面積大功率，所以不可避免地存在眩光問(wèn)題，基本上使用COB燈具都必須配一個(gè)非常深的燈杯，除了配光需要更是為了防止過(guò)于強(qiáng)烈的眩光30W集成光源大功率LED“由于西鐵城、夏普等主流cob廠商的進(jìn)入，現(xiàn)在市場(chǎng)上也主要以它們的標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，所以通用性方面已不存在太大問(wèn)題?！毙略鹿怆娍偨?jīng)理鄒義明表示，公司在第一季度增加10條生產(chǎn)線，到第二季度的cob產(chǎn)能將達(dá)到15kk/月。。既然COB有這么多毛病為毛倒成了射燈的主要光源呢？很簡(jiǎn)單，因?yàn)镃OB的產(chǎn)品形態(tài)最接近傳統(tǒng)光源，所以原有的燈杯，燈具，設(shè)計(jì)方式都可以照搬。