光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。10-200W集成光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功百率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的10-200W集成光源

LED照明，專業(yè)致力于展示照明應(yīng)用，而展示照明應(yīng)用對(duì)產(chǎn)品的顯指、照度、色溫、光效的要求極為苛刻。為此，2013年開始，首卓在LED軌道燈、斗膽燈等展示照明產(chǎn)品上，全部采用了COB光源，以有效建立技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并降低配件成本，為用戶提供高性價(jià)比LED照明產(chǎn)品。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量度的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片。圖2：錯(cuò)誤的溫度測(cè)量方式因此，為避免光對(duì)熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測(cè)量，紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時(shí)間快、非接觸、無(wú)需斷電、快速掃描等優(yōu)點(diǎn)，還可以實(shí)時(shí)顯示待測(cè)物體的溫度分布。紅外測(cè)溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。

10-200W集成光源4)在整體圍壩內(nèi)填充熒光膠16，待熒光膠16自然平鋪后，將基板12放進(jìn)離心設(shè)備中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)離心，使熒光膠16中的熒光粉沉淀到熒光膠16的下部Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。。由于在步驟3)中設(shè)置了兩層圍壩，使得圍壩總體高度增加，避免了填充在圍壩內(nèi)的熒光膠16在基板12進(jìn)行離心時(shí)溢出的情況發(fā)生；

10-200W集成光源2、使用的支架不同LED集成光源使用的支架只有10W，100W，500W等幾種方方正正的支架，其材質(zhì)以銅為主，且支架都帶有2個(gè)邊腳10-200W集成光源現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國(guó)產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場(chǎng)需求。。而COB光源所使用的支架則有很多種尺寸，其形狀有方形，長(zhǎng)方形，橢圓形等尺寸不一的幾十種支架，其材質(zhì)以鋁為主，也有銅制和陶瓷制的支架，一般都不帶邊腳。