圖2：錯(cuò)誤的溫度測(cè)量方式因此，為避免光對(duì)熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測(cè)量，紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時(shí)間快、非接觸、無需斷電、快速掃描等優(yōu)點(diǎn)，還可以實(shí)時(shí)顯示待測(cè)物體的溫度分布。紅外測(cè)溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。COB光源溫度LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的COB光源溫度

圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍(lán)色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱，經(jīng)過測(cè)量可知藍(lán)色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱量，相關(guān)參數(shù)參考表2。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片。2、發(fā)光面溫度實(shí)測(cè)為進(jìn)一步從實(shí)驗(yàn)上研究COB光源的熱分布，選用我司14年主推的一款定型產(chǎn)品作為實(shí)驗(yàn)研究對(duì)象，該款光源選用是的高反射率鏡面鋁為基板，這種封裝結(jié)構(gòu)一方面可大幅提高出光效率，另一方面封裝形式采用熱電分離的形式，沒有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔，可進(jìn)一步降低熱阻和結(jié)溫，實(shí)現(xiàn)COB光源高光通量密度輸出。

COB光源溫度4)在整體圍壩內(nèi)填充熒光膠16，待熒光膠16自然平鋪后，將基板12放進(jìn)離心設(shè)備中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)離心，使熒光膠16中的熒光粉沉淀到熒光膠16的下部與傳統(tǒng)LED封裝技術(shù)相比，COB面板光源光線很柔和，具有非常大的市場。目前市場上做COB封裝的企業(yè)數(shù)量在逐漸增多，COB基板材料也有了改進(jìn)，由早期的銅基板，發(fā)展到鋁基板，再到目前部分企業(yè)所采用的陶瓷基板，逐漸提高了COB光源的可靠性。。由于在步驟3)中設(shè)置了兩層圍壩，使得圍壩總體高度增加，避免了填充在圍壩內(nèi)的熒光膠16在基板12進(jìn)行離心時(shí)溢出的情況發(fā)生；

COB光源溫度光效和成本方面：COB是將LED芯片封裝進(jìn)整塊里基板中，由于封裝膠和熒光粉的涂覆呈面狀分布，使得邊沿部分的熒光粉很難得到激發(fā)，無形中給熒光粉的使用造成了很大的浪費(fèi)COB光源溫度倒裝COB模組將主要應(yīng)用于高功率產(chǎn)品，具有更高的可靠性，熱阻和節(jié)溫比正裝芯片低30%。而倒裝芯片COB產(chǎn)線投資可減少50%，由于無金線，無支架，BOM成本減少20%以上，人員也可縮減30%，使其性價(jià)比大幅提升。。MCOB技術(shù)將LED芯片封裝進(jìn)光學(xué)的杯子里，學(xué)習(xí)了LEDSMD器件點(diǎn)膠精粹，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序，使用此種方法熒光粉的使用量將極大地減少。同時(shí)LED芯片發(fā)光是集中在芯片內(nèi)部，MCOB平面光源是多杯集成芯片，提供更多的出光口，讓光充分多角度發(fā)出來，光效率明顯提升。