小結(jié)COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實(shí)際工作中芯片的結(jié)溫遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實(shí)現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時(shí)，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會(huì)導(dǎo)致發(fā)光面熱量較為集中，導(dǎo)致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測(cè)量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會(huì)吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測(cè)量值偏高。

60WCOB光源本實(shí)施例中，第一層圍壩14及第二層圍壩15通過(guò)圍壩機(jī)進(jìn)行圈設(shè)。通過(guò)使用圍壩機(jī)，使得第一層圍壩14及第二層圍壩15的壩身處處相同60WCOB光源

，使得生產(chǎn)質(zhì)量穩(wěn)定，有利于工業(yè)化和標(biāo)準(zhǔn)化的生產(chǎn)；另外，通過(guò)設(shè)置圍壩機(jī)的參數(shù)可以設(shè)置圍壩的形狀，這樣使得COB光源的生產(chǎn)更加靈活，滿(mǎn)足不同客戶(hù)的個(gè)性化需求。60WCOB光源2低熱阻優(yōu)勢(shì)傳統(tǒng)SMD封裝應(yīng)用的系統(tǒng)熱阻為：芯片-固晶膠-焊點(diǎn)-錫膏-銅箔-絕緣層-鋁材60WCOB光源

其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測(cè)溫的精確與待測(cè)材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準(zhǔn)測(cè)溫，可將光源放置在恒溫加熱臺(tái)上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測(cè)量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。。COB封裝的系統(tǒng)熱阻為：芯片-固晶膠-鋁材。COB封裝的系統(tǒng)熱阻要遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)SMD封裝的系統(tǒng)熱阻，大幅度提高了LED的壽命。

60WCOB光源進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電線(xiàn)為金線(xiàn)或者鋁線(xiàn)。進(jìn)一步地，所述固定粘膠為導(dǎo)電的銀膠或絕緣的紅膠。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的COB光源制作方法，通過(guò)在基板上設(shè)置兩層圍壩，在圍壩內(nèi)填充熒光膠現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國(guó)產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過(guò)120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場(chǎng)需求。，這樣使得圍壩的總高度增加60WCOB光源，避免熒光膠在后續(xù)的沉淀工藝中溢出；然后使用離心設(shè)備沉淀熒光膠中的熒光粉，使得COB光源發(fā)光均勻，光斑效果良好，同時(shí)使得熒光膠的散熱效果良好，降低熒光膠表面的溫度，避免COB光源因使用過(guò)程中溫度過(guò)高而導(dǎo)致熒光膠開(kāi)裂或芯片快速衰減的情況發(fā)生，解決了COB光源長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的溫度，導(dǎo)致熒光膠開(kāi)裂或芯片衰減嚴(yán)重，降低了COB光源的使用壽命的問(wèn)題。