但隨著LED芯片及LED封裝技術(shù)的快速發(fā)展，PC透鏡在紫外線照射、高溫環(huán)境下易黃化、造成的光衰已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過LED光源，抗腐蝕能力差，材料硬度低，表面易被風(fēng)沙刮傷，易靜電吸附空氣中灰塵，透鏡的出光率逐漸下降等缺陷，被更多專業(yè)制造商與終端用戶所注意。倒裝集成光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的倒裝集成光源

Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片?！坝捎谖麒F城、夏普等主流cob廠商的進(jìn)入，現(xiàn)在市場上也主要以它們的標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，所以通用性方面已不存在太大問題?！毙略鹿怆娍偨?jīng)理鄒義明表示，公司在第一季度增加10條生產(chǎn)線，到第二季度的cob產(chǎn)能將達(dá)到15kk/月。

倒裝集成光源COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進(jìn)行接觸測量光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時(shí)間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內(nèi)受到越來越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應(yīng)用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費(fèi)者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。

倒裝集成光源3、還有MCOB，也就是MuiltiChipsOnBoard，即多體面集成封裝方式，它是COB封裝工藝的拓展，MCOB封裝是把芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的倒裝集成光源小結(jié)COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實(shí)際工作中芯片的結(jié)溫遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實(shí)現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時(shí)，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會(huì)導(dǎo)致發(fā)光面熱量較為集中，導(dǎo)致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會(huì)吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測量值偏高。，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序.LED芯片光是集中在杯內(nèi)部的，要讓光線更多的跑出來，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫；