COB光源可應(yīng)用的范圍很廣。

COB芯片2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過(guò)導(dǎo)電線13進(jìn)行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，焊接完成后，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序；3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14，晶片11及導(dǎo)電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出COB芯片

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。當(dāng)然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15，將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時(shí)第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實(shí)際需要，可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準(zhǔn)備，而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設(shè)備等；COB芯片在步驟2)中，導(dǎo)電線13設(shè)置為直線彎折狀。現(xiàn)有技術(shù)中，COB光源的導(dǎo)電線13呈弧形，在受到垂直壓力的時(shí)候容易在焊接處斷裂，造成死燈的問(wèn)題，不利于COB光源的組裝及使用COB芯片

其次是從小功率向中、大功率發(fā)展。

。本實(shí)施例中，將導(dǎo)電線13設(shè)置為直線彎折狀，這樣，在正面受到壓力時(shí)，該壓力不會(huì)作用在彎曲狀的導(dǎo)電線13頂部，而是作用在彎曲狀的導(dǎo)電線13的側(cè)部，同時(shí)彎曲狀的導(dǎo)電線13自身具有較好的緩沖作用，使得導(dǎo)電線13在受到壓力時(shí)不易斷裂，解決了在組裝或使用時(shí)導(dǎo)電線13受到壓力容易斷裂的問(wèn)題。

COB芯片1)在LED光源前增加一層不完全透光的膜(擴(kuò)光板)。此方案有個(gè)大問(wèn)題，當(dāng)時(shí)LED的發(fā)光效率不高，擴(kuò)光板使得整體光效更低了圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍(lán)色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉的過(guò)程中，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱，經(jīng)過(guò)測(cè)量可知藍(lán)色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉過(guò)程中有更多藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱量，相關(guān)參數(shù)參考表2。。2)從改善光源入手，在光源端消除“鬼影”COB芯片。這就是COB最初的發(fā)展動(dòng)機(jī)，可是很快就被放棄了。原因很簡(jiǎn)單，COB屬于二次封裝，技術(shù)和工藝相對(duì)復(fù)雜，以當(dāng)時(shí)的技術(shù)單片COB只要超過(guò)35W就沒(méi)有辦法在批量生產(chǎn)中保持質(zhì)量穩(wěn)定，其光效、散熱也比不上表面貼裝。