圖2：錯誤的溫度測量方式因此，為避免光對熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測量，紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時間快、非接觸、無需斷電、快速掃描等優(yōu)點，還可以實時顯示待測物體的溫度分布。紅外測溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。
COB光源的缺點1)、將多個晶片分別固定在基板的預(yù)留位上；2)、將所述晶片與所述基板通過導(dǎo)電線進(jìn)行電性連接，使所述晶片與所述基板上的電路實現(xiàn)導(dǎo)通；3)、在所述基板上設(shè)置第一層圍壩
COB光源的缺點
，所述晶片以及導(dǎo)電線處于所述第一層圍壩的包圍區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好所述第一層圍壩的所述基板進(jìn)行烘烤，待所述第一層圍壩固化后取出；在所述第一層圍壩上設(shè)置第二層圍壩，將設(shè)置好所述第二層圍壩的所述基板進(jìn)行烘烤，待所述第二層圍壩固化后取出；所述第一層圍壩以及第二層圍壩形成整體式的整體圍壩；
COB光源的技術(shù)優(yōu)勢明顯，其成本也在逐漸下降，使得
COB光源產(chǎn)品迅速獲得市場青睞，這得益于封裝廠對降低
COB光源成本所作出的努力。
COB光源在照明應(yīng)用中可以節(jié)省器件封裝成本、光引擎模組制作成本和二次配光成本，總體降低成本超過30%，這對于LED照明的未來應(yīng)用推廣有著非常重要的意義。
COB光源的缺點步驟4)中，熒光膠16平鋪后，熒光膠16的高度超過第一層圍壩14的頂部的高度，且低于第二層圍壩15的頂部的高度。也就是說光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導(dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。，通過本
COB光源制作方法制作的
COB光源，其熒光膠16的厚度比常規(guī)
COB光源的大，這樣使得通過本
COB光源制作方法制作的
COB光源緩沖作用更好，能夠更好的保護(hù)內(nèi)部的導(dǎo)電線13。同時，熒光膠16的高度低于第二層圍壩15的高度，避免了熒光膠16溢出圍壩的情況發(fā)生。
而COB光源的缺點倒裝技術(shù)也可以細(xì)分為兩類，一類是在藍(lán)寶石芯片基礎(chǔ)上COB光源的缺點倒裝，藍(lán)寶石襯底保留，利于散熱，但是電流密度提升并不明顯;另一類是COB光源的缺點倒裝結(jié)構(gòu)并剝離了襯底材料，可以大幅度提升電流密度。
小結(jié)COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實際工作中芯片的結(jié)溫遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會導(dǎo)致發(fā)光面熱量較為集中，導(dǎo)致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測量值偏高。
