裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)(FlipChip)。板上芯片封裝(COB)，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃浴?0W集成光源2、COB的第二個缺點是光效。由于在一個狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去30W集成光源

讓人意想不到全光譜LED水草燈，LED投光燈通過內(nèi)置微芯片的控制，在小型工程應(yīng)用場合中，可無控制器使用，能實現(xiàn)漸變、跳變、公司的產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用于太陽能照明、市電照明、通訊器材、交通安全等多個領(lǐng)域。主要生產(chǎn)的產(chǎn)品有：太陽能路燈、道路燈、庭院燈、太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)、LED燈具、LED輪廓、LED景觀燈、壓鑄鋁燈具、太陽能風(fēng)能互補(bǔ)控制器、太陽能市電互補(bǔ)控制器及其他配電設(shè)備。。而對于SMD，只要間距合理，就不存在這個問題(見圖2)。正是這個全反射使得COB的發(fā)光效率從一開始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時，封裝材料吸收水平方向光線所帶來的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。30W集成光源COB和MCOB比較LED的COB封裝是基于里基板的封裝基礎(chǔ)，就是在里基板上把N個芯片繼承集成在一起進(jìn)行封裝30W集成光源

表2：樣品光電參數(shù)3、COB光源的熱分布機(jī)理從上節(jié)的測溫實例中可知，COB光源的膠體溫度最高可達(dá)125℃，而目前大部分芯片能承受的最高結(jié)溫不能超過125℃，很多燈具廠商認(rèn)為發(fā)光面的溫度超過125℃，芯片的溫度應(yīng)該會更高，繼而擔(dān)憂COB光源的可靠性。，這個就是大家說的COB技術(shù)，大家知道里基板的襯底下面是銅箔，銅箔只能很好的通電，不能做很好的光學(xué)處理。

30W集成光源以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的實現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)的描述。本實施例的附圖中相同或相似的標(biāo)號對應(yīng)相同或相似的部件；在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，若有術(shù)語“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系30W集成光源圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍(lán)色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱，經(jīng)過測量可知藍(lán)色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍(lán)光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱量，相關(guān)參數(shù)參考表2。，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此附圖中描述位置關(guān)系的用語僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。