光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時(shí)間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。30W集成光源現(xiàn)在LED的COB封裝，都是基于里基板的封裝基礎(chǔ)，就是在里基板上把N個(gè)芯片繼承集成在一起進(jìn)行封裝，基板的襯底下面是銅箔，銅箔只能很好的通電30W集成光源

與SMD貼片相比，具有五點(diǎn)明顯優(yōu)勢：一、COB在光學(xué)配光方面是其它光源無法比擬的;二、COB光源在結(jié)構(gòu)應(yīng)用中空間大，更符合商照結(jié)構(gòu)要求;三、合理的封裝形式可以讓芯片充分散熱，保證芯片質(zhì)量和壽命;四、出光面一致性好，無色斑;五、模組化，應(yīng)用可直接安裝使用，無須另外考慮工藝設(shè)計(jì)。，不能做很好的光學(xué)處理.MCOB和傳統(tǒng)的不同，MCOB技術(shù)是芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的，是根據(jù)光學(xué)做出來的，不僅是一個(gè)杯，要做好多個(gè)杯，LED芯片光是集中在芯片內(nèi)部的，要讓光能更多的跑出來，需要非常多的角，就是說出光的口越多越好，效率就能提升.小結(jié)COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實(shí)際工作中芯片的結(jié)溫遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實(shí)現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時(shí)，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會導(dǎo)致發(fā)光面熱量較為集中，導(dǎo)致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測量值偏高。

30W集成光源4)在整體圍壩內(nèi)填充熒光膠16，待熒光膠16自然平鋪后，將基板12放進(jìn)離心設(shè)備中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)離心，使熒光膠16中的熒光粉沉淀到熒光膠16的下部其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準(zhǔn)測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。。由于在步驟3)中設(shè)置了兩層圍壩，使得圍壩總體高度增加，避免了填充在圍壩內(nèi)的熒光膠16在基板12進(jìn)行離心時(shí)溢出的情況發(fā)生；

30W集成光源因此為有效研究COB光源表面的熱分布，建議選用紅外熱成像儀進(jìn)行非接觸測量30W集成光源1、節(jié)能是LED燈最突出的特點(diǎn)在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個(gè)最大的特點(diǎn)?，F(xiàn)在的人們都崇尚節(jié)能環(huán)保，也正是因?yàn)楣?jié)能的這個(gè)特點(diǎn)，使得LED燈的應(yīng)用范圍十分廣泛，使得LED燈十分的受歡迎。。由于COB光源發(fā)光面的溫度高于普通SMD器件，因此在封裝工藝和材料選擇上較SMD器件嚴(yán)苛，尤其對熒光粉和硅膠的耐溫性提出了更高的要求。