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北京10-200W集成光源的優(yōu)點

來源:  發(fā)布時間:2019-10-16   點擊量:926

選擇這個殺菌LED集成光源,COB光源是在LED芯片直接貼在高反光率的鏡面金屬基板上的高光效集成面光源技術(shù),此技術(shù)剔除了支架概念,

特種LED光源是一類追求在小發(fā)光面積內(nèi)發(fā)出更多光能的LED光源,要求單模組有高的電功率和功率密度,強(qiáng)度與激光類似。特種LED光源技術(shù)于2000年前后開始起步,發(fā)展很慢,國內(nèi)公司幾乎沒有生產(chǎn),而國外,只有歐司朗和美國朗明納斯兩家高技術(shù)起點公司能夠提供。

10-200W集成光源

實現(xiàn)大功率LED照明的方法有兩種:一是對單顆大功率LED芯片進(jìn)行封裝,二是采用多芯片集成封裝。對于前者來說,隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,尺寸增大,品質(zhì)提高,可通過大電流驅(qū)動實現(xiàn)大功率LED,但同時會受到芯片尺寸的限制,后者具有更大的靈活性和發(fā)展?jié)摿?,可根?jù)照度不同來改變芯片的數(shù)量,同時 它具有較高的性價比,使得LED集成封裝成為LED封裝的主流方向之一。

無電鍍、無回流焊、無貼片工序,因此工序減少近三分之一,成本也節(jié)約了三分之一。

為何這樣全光譜LED水草燈,硅光子技術(shù)集合了光學(xué)、CMOS技術(shù)及先進(jìn)封裝技術(shù),以光子作為信息載體,實現(xiàn)信號傳輸?shù)母咚傩?、安全性和可靠性?p>集成封裝也稱多晶封裝,是根據(jù)所需功率的大小確定基板底座上LED芯片的數(shù)目,可組合封裝成1W、2W、3W等高亮度的大功率LED器件,最后,使用高折射率的材料按光學(xué)設(shè)計的形狀對芯片進(jìn)行封裝。

簡單的講COB通常指小功率或中功率的芯片進(jìn)行封裝的,一般整體功率不超過50W,集成光源則通常是大功率芯片進(jìn)行封裝的,整體功率通常在50W以上。

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相比傳統(tǒng)的光學(xué)技術(shù),它結(jié)合了硅技術(shù)的低成本、高集成度和互聯(lián)密度的特點。隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等領(lǐng)域的迅速發(fā)展,

LED正裝工藝從封裝到組裝一共11道工序,封裝就需要六道工序(固晶、焊線、封裝、切角劃片、分光、包裝),六種設(shè)備(固晶機(jī)、焊線機(jī)、

目前倒裝COB芯片主要市場還是盯兩頭,一頭是價格低廉,對光效要求不高的產(chǎn)品。另一頭是專用領(lǐng)域的高端產(chǎn)品,比如因燈具設(shè)計空間有限但卻需要高功率高光通量輸出、信賴性特殊要求以及小發(fā)光面高功率輸出等等,它有自己的獨用領(lǐng)域。從中長期看,倒裝占有絕對大比例的份額的市場,是必然趨勢。隨著倒裝芯片的光效,價格不斷優(yōu)化提升,未來的市場空間巨大

通過MOCVD技術(shù)在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結(jié)構(gòu)層,由P/N結(jié)髮光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳,為獲得良好的電流擴(kuò)展,需要通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。

10-200W集成光源

灌膠機(jī)、劃片機(jī)、分光計、編帶機(jī))和六大材料(芯片、支架、絕緣膠、金線、硅膠、熒光粉)需要耗費大量的人工及諸多成本。且封裝的燈珠 由于結(jié)構(gòu)問題,不能180度發(fā)光,發(fā)光效果受到影響。

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