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行業(yè)動態(tài)

廣東全光譜COB光源生產(chǎn)廠家

來源：發(fā)布時間：2023-03-30 點擊量：192

小結(jié)COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實際工作中芯片的結(jié)溫遠低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會導(dǎo)致發(fā)光面熱量較為集中，導(dǎo)致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測量值偏高。全光譜COB光源現(xiàn)在LED的COB封裝，都是基于里基板的封裝基礎(chǔ)，就是在里基板上把N個芯片繼承集成在一起進行封裝，基板的襯底下面是銅箔，銅箔只能很好的通電全光譜COB光源

此外，材料、制造設(shè)備的改進與COB的發(fā)展相輔相成，也加速了COB性價比的提升，顯現(xiàn)出其在商業(yè)照明領(lǐng)域的優(yōu)勢。

，不能做很好的光學(xué)處理.MCOB和傳統(tǒng)的不同，MCOB技術(shù)是芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的，是根據(jù)光學(xué)做出來的，不僅是一個杯，要做好多個杯，LED芯片光是集中在芯片內(nèi)部的，要讓光能更多的跑出來，需要非常多的角，就是說出光的口越多越好，效率就能提升.

正裝、倒裝、垂直LED全光譜COB光源芯片結(jié)構(gòu)三大流派，全光譜COB光源倒裝技術(shù)并不是一個新的技術(shù)，其實很早之前就存在了。

其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。

全光譜COB光源它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫；全光譜COB光源光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導(dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。