現(xiàn)在國產(chǎn)
cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產(chǎn)和進口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場需求。
COB光源參數(shù)LED集成光源和
COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的
COB光源參數(shù)
熒光膠的溫度高于芯片溫度是因為
COB光源的芯片數(shù)量和排列密度高于比普通的SMD器件，通過熒光膠的光能量密度明顯高于SMD器件，熒光粉和硅膠都會吸收一部分的藍光轉(zhuǎn)換成熱，加上硅膠熱容與熱導(dǎo)率較小，導(dǎo)致熒光膠的溫度急劇上升，因此
COB光源工作時熒光膠的溫度會遠高于芯片溫度。。而
COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的
COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。
LEDCOB光源參數(shù)正裝芯片是最早出現(xiàn)的COB光源參數(shù)芯片結(jié)構(gòu)，也是小功率COB光源參數(shù)芯片中普遍使用的芯片結(jié)構(gòu)。
圖5：COB光源的內(nèi)部溫度分布圖5是該文根據(jù)試驗數(shù)據(jù)并結(jié)合仿真得出的，從圖中可以看到，熒光膠的溫度可達186℃，但芯片溫度只有49.5℃。芯片的溫度較低是因為芯片直接貼裝到鋁基板上方，芯片的熱量可通過基板快速傳遞到散熱器上，因此COB光源的芯片溫度遠低于芯片允許的最高結(jié)溫。
COB光源參數(shù)在此基礎(chǔ)上，伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的不斷發(fā)展和日趨成熟，如驅(qū)動電源的功能集約化和小型化、LED芯片的產(chǎn)業(yè)化光效不斷攀升和逼近理論值等
COB光源參數(shù)光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導(dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。，明朔科技從行業(yè)發(fā)展和用戶體驗改善考慮，不斷提出更高的品質(zhì)要求及創(chuàng)新出更有前瞻性的路燈形態(tài)，為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和成長提供了眾多的動力和支持，給城市管理者提供最便捷的服務(wù)和優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，讓人們享受更為低碳與舒適的居住環(huán)境。
