圖2：錯(cuò)誤的溫度測(cè)量方式因此，為避免光對(duì)熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測(cè)量，紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時(shí)間快、非接觸、無(wú)需斷電、快速掃描等優(yōu)點(diǎn)，還可以實(shí)時(shí)顯示待測(cè)物體的溫度分布。紅外測(cè)溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。LED集成路燈光源2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會(huì)遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去LED集成路燈光源

其三從光源所使用的芯片方面，COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片，但不是主要的，而集成LED燈珠一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片；。而對(duì)于SMD，只要間距合理，就不存在這個(gè)問(wèn)題(見(jiàn)圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開(kāi)始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí)，封裝材料吸收水平方向光線所帶來(lái)的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。

LEDLED集成路燈光源正裝芯片是最早出現(xiàn)的LED集成路燈光源芯片結(jié)構(gòu)，也是小功率LED集成路燈光源芯片中普遍使用的芯片結(jié)構(gòu)。

對(duì)于COB光源，早在其誕生之初，業(yè)界就普遍看好。但是受制于早期COB可靠性不好、光效不高、光衰大、價(jià)格昂貴等問(wèn)題，COB光源的市場(chǎng)推廣并沒(méi)有得到突破。

LED集成路燈光源而另一項(xiàng)發(fā)明的倒裝結(jié)構(gòu)LED，因其可以集成化、批量化生產(chǎn)，制備工藝簡(jiǎn)單，性能優(yōu)良，逐漸得到了照明行業(yè)的廣泛重視LED集成路燈光源圖5：COB光源的內(nèi)部溫度分布圖5是該文根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)并結(jié)合仿真得出的，從圖中可以看到，熒光膠的溫度可達(dá)186℃，但芯片溫度只有49.5℃。芯片的溫度較低是因?yàn)樾酒苯淤N裝到鋁基板上方，芯片的熱量可通過(guò)基板快速傳遞到散熱器上，因此COB光源的芯片溫度遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。。倒裝結(jié)構(gòu)采用將芯片PN結(jié)直接與基板上的正負(fù)極共晶鍵合，沒(méi)有使用金線，而最大限度避免了光淬滅問(wèn)題。在大功率LED使用過(guò)程中，不可避免大電流沖擊現(xiàn)象，在此情況下，如果燈具的大電流抗沖擊穩(wěn)定性不好，很容易降低燈具的使用壽命。